650V 35A MOSFET n沟道增强模式功率MOSFET晶体管247封装，用于dc-dc转换器和ac-dc电源
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重要属性
行业属性
型号
AKT35N65HCM
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
AIKO
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
通孔
描述
低导通电阻, 100% 雪崩试验, 极低的反向恢复电荷, 快速恢复体二极管
原产地
Zhejiang, China
封装/外壳
TO-247
类型
MOSFET晶体管
工作环境温度
-55 ℃ ~ + 150 ℃
系列
MOSFET
应用
DC-DC Converters and AC-DC Power Supply
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
AKT35N65HCM 650v 35A n沟道功率MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
35A(TC = 25 ℃), 24A(TC = 100 ℃)
电压 - 集射极击穿（最大值）
680V
电流 - 集电极截止（最大值）
110A
功率 - 最大值
125瓦
操作温度
-55 °C ~ 150 °C
安装方式
引脚直插式封装
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
35A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
83毫欧姆
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
115nC
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3805pF
额定电流
35A
电压-额定
650V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5-4.5V
配置
单排
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
650V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
10uA
漏极电流（Id） - 最大值
35A
电阻 - RDS（开）
83毫欧姆
电压
650V
电压 - 偏移（Vt）
± 30V
电流 - 谷值（Iv）
24A
电流 - 峰值
35A
应用
Dc-dc转换器和ac-dc电源
晶体管类型
MOSFET晶体管, N通道, 增强模式
VDSS
650V
VGSS
± 30V
漏极电流 (TC = 25 ℃)
35A
漏极电流 (TC = 100 ℃)
24A
单脉冲雪崩能量
200mJ
最大功耗 (TC = 25 ℃)
125瓦
关闭延迟时间
101ns
总栅极电荷
115nC
脉冲漏极电流
110A
应用程序
Dc-dc转换器和ac-dc电源
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
1X3X5 厘米
单品毛重：
0.006 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 50000 | 50001 - 100000000 | > 100000000 |
| 美国东部时间（天） | 20 | 30 | 待定 |
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