60A 120V n沟道功率MOSFET晶体管DFN5X6封装引线和无卤素，适用于电信和工业中的DC/DC
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重要属性
行业属性
型号
AKT95N12M
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
AIKO
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
表面贴装
描述
高速功率开关和逻辑电平, 100% UIS测试和100% Rg测试, 增强雪崩耐用性, 增强的体二极管dv/dt能力, 无铅无卤
原产地
Zhejiang, China
封装/外壳
DFN5X6
类型
MOSFET晶体管
工作环境温度
-55 ℃ ~ + 150 ℃
系列
MOSFET
应用
硬开关和高速电路
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
AKT95N12M 120v 60A n沟道功率MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
60A(TC = 25 ℃), 95A(TC = 100 ℃)
电压 - 集射极击穿（最大值）
120V
电流 - 集电极截止（最大值）
320A
功率 - 最大值
114瓦
操作温度
-55 °C ~ 150 °C
安装方式
表面贴片封装
漏源电压（Vdss）
120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
95A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
10毫欧姆
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
45nC
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3510pF
额定电流
60A
电压-额定
120V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.4-2.4V
Vgs（最大值）
120V
配置
单排
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
3510pF
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
120V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
1-100uA
漏极电流（Id） - 最大值
95A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
10V
电阻 - RDS（开）
7.5毫欧
电压-输出
120V
电压 - 偏移（Vt）
± 20V
电流 - 谷值（Iv）
60A
电流 - 峰值
94.7A
应用
电信和同步整流中的DC/DC
晶体管类型
MOSFET晶体管, N通道, 增强模式
VDSS
120V
VGSS
± 20V
漏极电流 (TC = 25 ℃)
94.7A
漏极电流 (TC = 100 ℃)
60A
单脉冲雪崩能量
500mJ
最大功耗 (TC = 25 ℃)
114瓦
关闭延迟时间
30ns
总栅极电荷
45nC
应用程序1
SMPS中的同步整流
应用2
硬开关和高速电路
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 50000 | 50001 - 100000000 | > 100000000 |
| 美国东部时间（天） | 20 | 30 | 待定 |
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