210A 60V n沟道功率MOSFET晶体管TO-220F封装，具有低导通电阻，用于开关模式电源
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重要属性
行业属性
型号
AKT210N06TT
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
AIKO
封装类型
TO-220F
其他属性
安装类型
通孔
描述
低本征电容, 优良的开关特性, 扩展安全工作区, 无与伦比的栅极电荷, 100% 雪崩测试
原产地
Zhejiang, China
封装/外壳
TO-220
类型
MOSFET晶体管
工作环境温度
-55 ℃ ~ + 150 ℃
系列
MOSFET
应用
高效直流-直流转换器
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
AKT210N06TT 60v 210A n沟道功率MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
210A(TC = 25 ℃), 132A(TC = 100 ℃)
电压 - 集射极击穿（最大值）
60V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
10V
电流 - 集电极截止（最大值）
210A
功率 - 最大值
220W
操作温度
-55 °C ~ 150 °C
安装方式
引脚直插式封装
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
210A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.2欧姆
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
115nC
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8500pF
额定电流
210A
电压-额定
60V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.0V
Vgs（最大值）
4.0V
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
10V
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
8500pF
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
60V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
10uA
漏极电流（Id） - 最大值
210A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
30V
电阻 - RDS（开）
2.8欧姆
电压-输出
60V
电压 - 偏移（Vt）
± 25V
电流 - 谷值（Iv）
132A
电流 - 峰值
210A
应用
电机控制和同步整流
晶体管类型
MOSFET晶体管, N通道, 增强模式
VDSS
60V
VGSS
± 25V
漏极电流 (TC = 25 ℃)
210A
漏极电流 (TC = 100 ℃)
132A
单脉冲雪崩能量
1082mJ
最大功耗 (TC = 25 ℃)
220W
关闭延迟时间
95ns
总栅极电荷
115nC
应用程序1
开关模式电源
应用2
同步整流
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 50000 | 50001 - 100000000 | > 100000000 |
| 美国东部时间（天） | 20 | 30 | 待定 |
定制
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