Transistor MOSFET de potencia de canal N de 650V para aplicaciones UPS

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Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yr

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

AKT7N65F

Tipo

MOSFET

Marca

AIKO

Tipo de paquete

TO-220F

Otros atributos

Tipo de montaje

A través de agujeros

Descripción

Baja resistencia en, Tecnología de proceso especial para la alta capacidad del ESD, Prueba 100% de avalancha, Buena estabilidad y uniformidad con alto EAS, MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N

Lugar del origen

Zhejiang, China

PAQUETE/cubierta

TO-220F

Tipo

Transistor MOSFET

Temperatura de funcionamiento

-55 ℃ ~ + 150 ℃ (TJ), -55 ℃ ~ + 150 ℃ (T STG)

Serie

MOSFET

Uso

Fuente de alimentación AC-DC

Tipo de Proveedor

Fabricante Original, ODM

Los medios disponibles

Hoja de Datos, Foto

品名

MOSFET de la energía del canal N de 650V 7A

Corriente de colector (Ic) (máx.)

7A(TC = 25 ℃), 4.4A(TC = 100 ℃)

-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)

650V

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

Corriente de colector de corte (Max)

Poder-Max

82W

Temperatura de funcionamiento

-55 °C ~ 150 °C

Tipo de Montaje

A través del orificio

Tensión de drenador a fuente (Vdss)

650V

Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C

Rds (Max) @ Id Vgs

1,25 Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

4,0 V

La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs

29nC

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)

1200pF @ 25V

Corriente nominal (en amperios)

-Tensión nominal

650V

Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)

2,0 V

Vgs (Max)

4,0 V

Configuración

Solo

Vce (on) (Max) @ Vge Ic

2,0 V

Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce

1200pF

-Tensión de distribución (V (BR) GSS)

650V

Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)

1uA

Corriente de drenaje (Id).

-Tensión de corte (VGS) @ Id

4,0 V

Resistencia-On (RDS)

1,13 Ohm

Tensión de salida-salida

350V

-Tensión Offset (Vt)

± 30V

Corriente de Valle Iv)

1uA

Corriente de pico

Aplicaciones

Interruptor de baja velocidad

Tipo de Transistor

Transistor MOSFET, Canal N, Modo de mejora

VDSS

650V

VGSS

± 30V

Corriente de drenaje (TC = 25 ℃)

Corriente de drenaje (TC = 100 ℃)

4.4A

Corriente de drenaje pulsada

28A

Disipación de poder máxima (TC = 25 ℃)

82W

Energía de avalancha pulsada única

400mJ

Voltaje del umbral de la puerta

2 V ~ 4V

Aplicación 1

Aplicaciones de UPS

Aplicación 2

Convertidores DC-DC y fuente de alimentación AC-DC

Embalaje y entrega

Paquete

Plásticos espumados/bolsas antiestáticas/cartón

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)	1 - 50000	50001 - 100000000	> 100000000
Hora del Est.(días)	20	30	Para negociar

Personalizacion

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